开发具有业界最大24GB内存容量的HBM3产品；客户对样品的绩效评估正在进行中
通过堆叠12个DRAM芯片实现高容量和高性能
计划在2023年上半年前完成大规模生产的准备工作，旨在巩固公司在尖端DRAM市场的领导地位
韩国首尔，2023年4月20日/美通社/--SK-hynix股份有限公司（或“该公司”，www.skhynix.com）今天宣布，它已成为业界第一个开发具有24 GB**内存容量的12层HBM3*产品的公司，目前是业界最大的产品，并表示客户正在对样品进行性能评估。
*HBM（高带宽存储器）：一种高价值、高性能的存储器，与传统的DRAM产品相比，它可以垂直互连多个DRAM芯片，并显著提高数据处理速度。HBM3是继前几代HBM、HBM2和HBM2E之后的第4代产品
**先前开发的8层HBM3产品的最大存储容量为16GB
SK海力士表示：“继去年6月大规模生产世界上第一台HBM3之后，该公司成功开发了24GB封装产品，该产品的内存容量比之前的产品增加了50%。”。“我们将能够从今年下半年开始向市场供应新产品，以满足人工智能聊天机器人行业对高级内存产品日益增长的需求。”
SK海力士的工程师通过在最新产品中应用先进的质量回流模塑底充（MR-MUF）*技术提高了工艺效率和性能稳定性，而通硅过孔（TSV）**技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。
*MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）：一种将多个芯片放置在下基板上，并通过回流将其一次粘合，然后用模具材料同时填充芯片之间或芯片与基板之间的间隙的方法。
**TSV（Through Silicon Via）：一种用于高级封装的互连技术，将上下芯片与垂直穿过DRAM芯片上数千个细孔的电极连接起来。SK海力士的HBM3集成了这项技术，每秒可处理819GB，这意味着每秒可传输163部FHD（全高清）电影
HBM由SK海力士于2013年首次开发，因其在实现在高性能计算（HPC）系统中运行的生成人工智能方面的关键作用而受到存储芯片行业的广泛关注。
尤其是最新的HBM3标准，被认为是快速处理大量数据的最佳产品，因此全球主要科技公司对其的采用率正在上升。
SK海力士已向多家客户提供了其24GB HBM3产品的样品，这些客户对最新产品表示了极大的期望，同时该产品的性能评估正在进行中。
SK海力士封装与测试主管Sang Hoo Hong表示：“SK海力士通过其在后端工艺中使用的领先技术，能够持续开发一系列超高速和高容量HBM产品。”。“公司计划在今年上半年内完成新产品的量产准备，以进一步巩固其在人工智能时代尖端DRAM市场的领先地位。”
